聊聊网传的“8nm光刻机”:这是干式光刻机,造不出来28nm工艺

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来源:橙子不糊涂(微信公众号)

终于有机会聊点半导体,这个事儿挺有价值,之前就发布了,大概看了一下没在意。但不知道为什么十来天后突然发酵了。

聊聊网传的“8nm光刻机”:这是干式光刻机,造不出来28nm工艺

核心:

1,这是干式光刻机,造不出来28nm工艺;8nm光刻机纯扯;

2,28nm光刻机实际上是ArFi浸没式光刻机,虽然不该“28nm光刻机”这么叫,但是这么叫好理解,就是可以用在28产线上的光刻机。

这个和干式的区别就是曝光系统模组下有没有水作为介质;光从玻璃,经过水作为介质,折射角要远小于空气,所以193nm的波长等效为134nm波长。

A L的193nm浸没式光刻机,能实现大约22nm左右的单次曝光。实际g e length 并不是22nm,但是这不太重要。因此28nm不需要多曝来实现,用不着。

从公开的这个信息,这是干式光刻机,只能做65nm工艺。

3,多重曝光:用在浸没式工艺技术里面,主要生产14nm-7nm“先进制程”工艺。别说28nm了,14nm用多曝现在都有点勉强,昂贵、复杂,要改良到比如12,10,性能提升一些价格不变会好一点。当年台积电和3星都在14nm节点大力搞多曝,抢苹果。

后来到了7nm用一下,也因为太昂贵,效率太低,在台积电就生存了一年,就转用EUV了。

多重曝光的手艺是当年intel投入重金搞的,结果后来还沉迷不可自拔…

多曝有LELE,LFLE和SADP/SAQP三种。

LELE,Lith-Etch-Lith-Etch,光刻-刻蚀-光刻-刻蚀。把原来一层光刻图形,划分到两个或多个掩膜上,搞了一次图像叠加。这个好想象。

LFLE,Ltiho-Freeze-Ltiho-Etch,光刻-固化-光刻-刻蚀。和LELE本质差不多,省一道刻蚀工序,降低成本。

SADP是SelfAlignedDoubleP terning自对准双重图形化以及SAQP四重曝光技术(好像前一段时间华为弄了个4重曝光的专利)。本质原理都差不多。

重点是:4曝也是Intel在10nm以后搞的,玩的不亦乐乎,结果突然EUV来了,Intel大呼上当。我在练射箭手艺,你给台积电造了一把冲锋枪。

我的观点很明确:多曝搞先进制程没有经济价值,甚至于对于当前的中国,连工艺研发和产业价值都有限。我们落后太多了,后追者不可能遵循摩尔定律,这是领先研发的节奏。

确实战略意义重大, 了生存问题,突破了封锁。但经济利益有限,不过产业节奏会跨越式发展。

我们不可能65,40,28,14,7迭代的去做。必须就是快速的完成ArFi->EUV,DUV做到14小规模搞一搞产能(乐观的话可能3-5年时间),主要是在设备制造工程领域的积累。上微可以和手艺好的客户合作多曝弄点7nm,然后就是要做EUV,这个过程毛估估也得10年起步。

华为可以搞,因为华为太超前了,不计代价弄一点等效5nm的手艺,已经登峰造极,其实工艺没太大量产意义…良率必然低,成本必然极高,也不算什么技术上的突破,是一种雕花工艺,但达成目标确实很牛。产能也会有限,但没办法我们没有EUV。

4,套刻精度:8nm,跟所谓8nm光刻机一分钱关系没有。之后有机会再单独讲套刻精度,这个比较有意思。

5,关于进度:

我理解这些都算是公开信息,老外早就各种报道了。

实际上,之前有一些资深的业内朋友在讲今年就会有明显进步,但目前看…

光刻机到了量产阶段,稳定性压倒一切。我们要保证这个复杂的机器能够稳定、 的工作若干年。
6,关于光刻机的投资行情:

有点牵强…市场期待的是28nm,甚至14nm光刻机量产,对应1970i,1980i的水平。所以一点消息快两周了,今天突然上了热搜。

这种东西需要持续催化才行,最起码要无法证伪。但是现在证伪太容易了。所以没行情,肯定没持续行情。

真的还是要等ArFi官宣,一波确定的 主线机会就来了。

(全文完)

关键词:刻机光刻刻蚀